차세대 전력반도체 측정용 진공챔버 Probe station + B1506A 설치 되었습니다

측정 환경 : 진공 상태에서  - 190 도 ~ 고온 300도 측정

측정 조건 : SiN, GaN : 3,000V, 1,500A 

측정 항목 : Static Characteristics

               - Threshold voltage : Vgs(th), Vge(th)

               - Transfer Characteristics : Id-Vgs, Ic-Vge, gfs

               - On resistance : Rds-on, Vce(sat)

               - Gate leakage current : lgss, lges

               - Output leakgae current : Idss, Ices

               - Output Characteristics : ld-Vds, Ic-Vce

               - Break down voltage : BVds, Bvces